產品說明
商品說明：Light Etching機台Rydeen6800為利用FOI最新技術、在可處理6吋/8吋Wafer Ashing機台的Rydeen5200中、追加了Balanced ICP Plasma源及Cathode Bias（RIE）之Light Etching機台。以世界最快的傳送Throughput（毎小時210 Wafer以上）為傲、融合了高密度Balanced ICP Plasma源、以及FOI Etching機台最受好評的低温Cathode與RF Bias、來處理Vamp工程用Light Etching、畫像端子的光阻及Plastics Lens整形、銅線上的光阻蝕刻、Low-k膜的蝕刻等各種最新製程。另外、也能夠完全處理FA(GEM)。Rydeen10000為利用FOI最新技術、可處理300mm/8吋的Wafer Balanced 並具備ICP Plasma源及Cathode Bias（RIE）之Light Etching機台。 融合了高密度Balanced ICP Plasma源、以及FOI Etching機台最受好評的低温Cathode與RF Bias來處理Vamp工程用Light Etching、畫像端子的Resist及Plastics Lens整形、銅線上的光阻蝕刻、Low-k膜的蝕刻等各種最新製程。另外、也能夠完全處理FA(GEM、GEM300)。